RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $174.5396 | $ 174.5396 |
| 200+ | $69.6441 | $ 13928.8200 |
| 500+ | $67.3158 | $ 33657.9000 |
| 1000+ | $66.1656 | $ 66165.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | NPT (non-penetrating type) | |
| 콜렉터 전류(Ic) | 123A | |
| 전력 손실(Pd) | 570W | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vces) | 1.2kV | |
| 입력 커패시턴스(Cies@Vce) | 7.85nF@25V | |
| 게이트 이미터 임계값 전압(Vge(th)@Ic) | 3.7V@15V,100A |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $174.5396 | $ 174.5396 |
| 200+ | $69.6441 | $ 13928.8200 |
| 500+ | $67.3158 | $ 33657.9000 |
| 1000+ | $66.1656 | $ 66165.6000 |
