| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | FP25R12W2T4 |
| EBEE 부품 번호 | E8534015 |
| 패키지 | Through Hole,62.8x56.7mm |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | IGBT Transistors / Modules ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $39.0250 | $ 39.0250 |
| 30+ | $37.8852 | $ 1136.5560 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| 데이터시트 | Infineon FP25R12W2T4 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃ | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vces) | 1.2kV | |
| 게이트 이미터 임계값 전압(Vge(th)@Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 39A | |
| Pd - Power Dissipation | 175W | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2.25V@25A,15V | |
| Td(off) | 190ns | |
| Td(on) | 26ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.05nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.45mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1.6mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.45nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 50A |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $39.0250 | $ 39.0250 |
| 30+ | $37.8852 | $ 1136.5560 |
