| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | MGP066N10N |
| EBEE 부품 번호 | E841380434 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 85A 125W 6.6mΩ@10V,13.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4927 | $ 0.4927 |
| 10+ | $0.4003 | $ 4.0030 |
| 50+ | $0.3605 | $ 18.0250 |
| 100+ | $0.3115 | $ 31.1500 |
| 500+ | $0.2881 | $ 144.0500 |
| 1000+ | $0.2753 | $ 275.3000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Megain MGP066N10N | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 85A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.6mΩ@10V,13.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 125W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 26pF@50V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3148pF@50V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4927 | $ 0.4927 |
| 10+ | $0.4003 | $ 4.0030 |
| 50+ | $0.3605 | $ 18.0250 |
| 100+ | $0.3115 | $ 31.1500 |
| 500+ | $0.2881 | $ 144.0500 |
| 1000+ | $0.2753 | $ 275.3000 |
