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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | MDD20N65F |
| EBEE 부품 번호 | E85299409 |
| 패키지 | TO-220F |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 650V 2A 45W 500mΩ@10V,10A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6200 | $ 0.6200 |
| 10+ | $0.5219 | $ 5.2190 |
| 50+ | $0.4133 | $ 20.6650 |
| 100+ | $0.3651 | $ 36.5100 |
| 500+ | $0.3364 | $ 168.2000 |
| 1000+ | $0.3198 | $ 319.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD20N65F | |
| RoHS | ||
| 유형 | - | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 500mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.962nF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 58.3nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6200 | $ 0.6200 |
| 10+ | $0.5219 | $ 5.2190 |
| 50+ | $0.4133 | $ 20.6650 |
| 100+ | $0.3651 | $ 36.5100 |
| 500+ | $0.3364 | $ 168.2000 |
| 1000+ | $0.3198 | $ 319.8000 |
