| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | ME96N03-G |
| EBEE 부품 번호 | E82841363 |
| 패키지 | TO-252-3L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 107.2A 6.3mΩ@4.5V,30A 62.5W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-3L MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3010 | $ 0.3010 |
| 10+ | $0.2650 | $ 2.6500 |
| 30+ | $0.2494 | $ 7.4820 |
| 100+ | $0.2302 | $ 23.0200 |
| 500+ | $0.2216 | $ 110.8000 |
| 1000+ | $0.2164 | $ 216.4000 |
| 2500+ | $0.2139 | $ 534.7500 |
| 5000+ | $0.2122 | $ 1061.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | MATSUKI ME96N03-G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 107.2A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.3mΩ@4.5V,30A | |
| 전력 손실(Pd) | 62.5W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 277pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2892pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 62nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3010 | $ 0.3010 |
| 10+ | $0.2650 | $ 2.6500 |
| 30+ | $0.2494 | $ 7.4820 |
| 100+ | $0.2302 | $ 23.0200 |
| 500+ | $0.2216 | $ 110.8000 |
| 1000+ | $0.2164 | $ 216.4000 |
| 2500+ | $0.2139 | $ 534.7500 |
| 5000+ | $0.2122 | $ 1061.0000 |
