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MATSUKI ME96N03-G


제조사
제조사 부품 번호
ME96N03-G
EBEE 부품 번호
E82841363
패키지
TO-252-3L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
30V 107.2A 6.3mΩ@4.5V,30A 62.5W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-3L MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.3010$ 0.3010
10+$0.2650$ 2.6500
30+$0.2494$ 7.4820
100+$0.2302$ 23.0200
500+$0.2216$ 110.8000
1000+$0.2164$ 216.4000
2500+$0.2139$ 534.7500
5000+$0.2122$ 1061.0000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트MATSUKI ME96N03-G
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)30V
연속 드레인 전류(Id)107.2A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)6.3mΩ@4.5V,30A
전력 손실(Pd)62.5W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)3V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)277pF@25V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)2892pF@25V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)62nC

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