| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | ME55N06A |
| EBEE 부품 번호 | E83647155 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 75V 64A 63W 9.5mΩ@10V,25A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4678 | $ 0.4678 |
| 10+ | $0.4191 | $ 4.1910 |
| 30+ | $0.3956 | $ 11.8680 |
| 100+ | $0.3703 | $ 37.0300 |
| 500+ | $0.3396 | $ 169.8000 |
| 1000+ | $0.3324 | $ 332.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | MATSUKI ME55N06A | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 64A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,25A | |
| 전력 손실(Pd) | 63W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 194pF@15V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1563pF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 114nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4678 | $ 0.4678 |
| 10+ | $0.4191 | $ 4.1910 |
| 30+ | $0.3956 | $ 11.8680 |
| 100+ | $0.3703 | $ 37.0300 |
| 500+ | $0.3396 | $ 169.8000 |
| 1000+ | $0.3324 | $ 332.4000 |
