| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | ME15N10-G |
| EBEE 부품 번호 | E8147781 |
| 패키지 | TO-252-2(DPAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 14.7A 34.7W 100mΩ@10V,8A 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2144 | $ 1.0720 |
| 50+ | $0.1757 | $ 8.7850 |
| 150+ | $0.1592 | $ 23.8800 |
| 500+ | $0.1386 | $ 69.3000 |
| 2500+ | $0.1294 | $ 323.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | MATSUKI ME15N10-G | |
| RoHS | ||
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 14.7A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8A | |
| 전력 손실(Pd) | 34.7W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2144 | $ 1.0720 |
| 50+ | $0.1757 | $ 8.7850 |
| 150+ | $0.1592 | $ 23.8800 |
| 500+ | $0.1386 | $ 69.3000 |
| 2500+ | $0.1294 | $ 323.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
