| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | MS60N350DD1 |
| EBEE 부품 번호 | E837635858 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 30A 35mΩ@10V,12A 50W 2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2728 | $ 1.3640 |
| 50+ | $0.2142 | $ 10.7100 |
| 150+ | $0.1891 | $ 28.3650 |
| 500+ | $0.1578 | $ 78.9000 |
| 2500+ | $0.1438 | $ 359.5000 |
| 5000+ | $0.1355 | $ 677.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | MASPOWER MS60N350DD1 | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 45mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 487pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.016nF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2728 | $ 1.3640 |
| 50+ | $0.2142 | $ 10.7100 |
| 150+ | $0.1891 | $ 28.3650 |
| 500+ | $0.1578 | $ 78.9000 |
| 2500+ | $0.1438 | $ 359.5000 |
| 5000+ | $0.1355 | $ 677.5000 |
