| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | LSGE06R046HWB |
| EBEE 부품 번호 | E82836186 |
| 패키지 | TO-263-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 104A 4.6mΩ@10V,20A 89W 4V@250uA TO-263-2 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7405 | $ 0.7405 |
| 10+ | $0.6141 | $ 6.1410 |
| 30+ | $0.5527 | $ 16.5810 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
| 500+ | $0.4516 | $ 225.8000 |
| 800+ | $0.4336 | $ 346.8800 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | LONTEN LSGE06R046HWB | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 104A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 89W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 67pF@30V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3511pF@30V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 48nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7405 | $ 0.7405 |
| 10+ | $0.6141 | $ 6.1410 |
| 30+ | $0.5527 | $ 16.5810 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
| 500+ | $0.4516 | $ 225.8000 |
| 800+ | $0.4336 | $ 346.8800 |
