| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | LSE80R680GT |
| EBEE 부품 번호 | E82836177 |
| 패키지 | TO-263-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 800V 8A 680mΩ@10V,4A 83W [email protected] TO-263-2 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9465 | $ 0.9465 |
| 10+ | $0.8597 | $ 8.5970 |
| 30+ | $0.8110 | $ 24.3300 |
| 100+ | $0.7568 | $ 75.6800 |
| 500+ | $0.7315 | $ 365.7500 |
| 800+ | $0.7207 | $ 576.5600 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | LONTEN LSE80R680GT | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 680mΩ@10V,4A | |
| 전력 손실(Pd) | 83W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 2.54pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 873pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 19.5nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9465 | $ 0.9465 |
| 10+ | $0.8597 | $ 8.5970 |
| 30+ | $0.8110 | $ 24.3300 |
| 100+ | $0.7568 | $ 75.6800 |
| 500+ | $0.7315 | $ 365.7500 |
| 800+ | $0.7207 | $ 576.5600 |
