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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0546 | $ 0.5460 |
| 100+ | $0.0432 | $ 4.3200 |
| 300+ | $0.0374 | $ 11.2200 |
| 3000+ | $0.0332 | $ 99.6000 |
| 6000+ | $0.0297 | $ 178.2000 |
| 9000+ | $0.0280 | $ 252.0000 |
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추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | LGE G2309 | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 300mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -40℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 310pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.4nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0546 | $ 0.5460 |
| 100+ | $0.0432 | $ 4.3200 |
| 300+ | $0.0374 | $ 11.2200 |
| 3000+ | $0.0332 | $ 99.6000 |
| 6000+ | $0.0297 | $ 178.2000 |
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