| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | KY5853DC |
| EBEE 부품 번호 | E83029307 |
| 패키지 | DFNWB-8-EP(2x3) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| 설명 | 20V 2.7A 110mΩ@4.5V,2.7A 1.1W 450mV@250uA 1 Piece P-Channel DFNWB-8-EP(2x3) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0513 | $ 0.5130 |
| 100+ | $0.0408 | $ 4.0800 |
| 300+ | $0.0356 | $ 10.6800 |
| 1000+ | $0.0316 | $ 31.6000 |
| 5000+ | $0.0273 | $ 136.5000 |
| 10000+ | $0.0257 | $ 257.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | KY KY5853DC | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 240mΩ@1.8V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 50pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0513 | $ 0.5130 |
| 100+ | $0.0408 | $ 4.0800 |
| 300+ | $0.0356 | $ 10.6800 |
| 1000+ | $0.0316 | $ 31.6000 |
| 5000+ | $0.0273 | $ 136.5000 |
| 10000+ | $0.0257 | $ 257.0000 |
