| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | FQD2N65SE |
| EBEE 부품 번호 | E842404739 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0899 | $ 0.4495 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0617 | $ 9.2550 |
| 500+ | $0.0546 | $ 27.3000 |
| 2500+ | $0.0490 | $ 122.5000 |
| 5000+ | $0.0461 | $ 230.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | KTP FQD2N65SE | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 4.8Ω@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 350pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0899 | $ 0.4495 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0617 | $ 9.2550 |
| 500+ | $0.0546 | $ 27.3000 |
| 2500+ | $0.0490 | $ 122.5000 |
| 5000+ | $0.0461 | $ 230.5000 |
