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InventChip IVST12050MA1L


제조사
제조사 부품 번호
IVST12050MA1L
EBEE 부품 번호
E85806859
패키지
SOT-227
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
1.2kV 64A 413W 50mΩ@20V,20A 2.2V@6mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS
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연락처 이름
비즈니스 이메일
회사명
국가
품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$47.2491$ 47.2491
3+$43.2058$ 129.6174
30+$41.0002$ 1230.0060
유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트InventChip IVST12050MA1L
RoHS
RDS(켜짐)65mΩ
작동 온도 --55℃~+175℃
역전송 용량(Crss@Vds)16.6pF
Pd - Power Dissipation413W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))5V
Current - Continuous Drain(Id)64A
Ciss-Input Capacitance2.7nF
Output Capacitance(Coss)217pF
Gate Charge(Qg)120nC

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