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Infineon Technologies IRFB4110PBF
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRFB4110PBF |
| EBEE 부품 번호 | E82650 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 180A 4.5mΩ@10V,75A 370W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7463 | $ 0.7463 |
| 10+ | $0.6478 | $ 6.4780 |
| 50+ | $0.5161 | $ 25.8050 |
| 100+ | $0.4589 | $ 45.8900 |
| 600+ | $0.4398 | $ 263.8800 |
| 900+ | $0.4287 | $ 385.8300 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Infineon Technologies IRFB4110PBF | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 4.5mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 250pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 370W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.62nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 670pF | |
| Gate Charge(Qg) | 210nC@10V |
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14245 Stock for Shipping Fast
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7463 | $ 0.7463 |
| 10+ | $0.6478 | $ 6.4780 |
| 50+ | $0.5161 | $ 25.8050 |
| 100+ | $0.4589 | $ 45.8900 |
| 600+ | $0.4398 | $ 263.8800 |
| 900+ | $0.4287 | $ 385.8300 |
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