| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IPB60R180C7 |
| EBEE 부품 번호 | E8536618 |
| 패키지 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 13A 155mΩ@10V,5.3A 68W 3.5V@260uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6005 | $ 2.6005 |
| 10+ | $2.1885 | $ 21.8850 |
| 30+ | $1.9298 | $ 57.8940 |
| 100+ | $1.6650 | $ 166.5000 |
| 500+ | $1.5457 | $ 772.8500 |
| 1000+ | $1.4946 | $ 1494.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | Infineon IPB60R180C7 | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 155mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 68W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.08nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6005 | $ 2.6005 |
| 10+ | $2.1885 | $ 21.8850 |
| 30+ | $1.9298 | $ 57.8940 |
| 100+ | $1.6650 | $ 166.5000 |
| 500+ | $1.5457 | $ 772.8500 |
| 1000+ | $1.4946 | $ 1494.6000 |
