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Infineon Technologies FF200R12KT4
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | FF200R12KT4 |
| EBEE 부품 번호 | E8541002 |
| 패키지 | Screw Terminals |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 1.1kW 320A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $56.5903 | $ 56.5903 |
| 10+ | $55.3099 | $ 553.0990 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| 데이터시트 | Infineon FF200R12KT4 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃ | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vces) | 1.2kV | |
| 게이트 이미터 임계값 전압(Vge(th)@Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 320A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1kW | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.75V@200A,15V | |
| Td(off) | - | |
| Td(on) | 160ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | - | |
| Switching Energy(Eoff) | 14mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 10mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.4nF@25V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $56.5903 | $ 56.5903 |
| 10+ | $55.3099 | $ 553.0990 |
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