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HXY MOSFET SI2302-HXY
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SI2302-HXY |
| EBEE 부품 번호 | E84748714 |
| 패키지 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 20V 2.8A 55mΩ@4.5V,2.8A 900mW 1.2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음: 333642
최소: 100배수: 100
단가
$ 0.0130
소계
$ 1.3000
1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0130 | $ 1.3000 |
| 1000+ | $0.0102 | $ 10.2000 |
| 3000+ | $0.0082 | $ 24.6000 |
| 9000+ | $0.0072 | $ 64.8000 |
| 51000+ | $0.0069 | $ 351.9000 |
| 99000+ | $0.0067 | $ 663.3000 |
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추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET SI2302-HXY | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-Channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V,2.8A | |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 260pF@10V |
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재고 있음: 333642
최소: 100배수: 100
단가
$ 0.0130
소계
$ 1.3000
1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0130 | $ 1.3000 |
| 1000+ | $0.0102 | $ 10.2000 |
| 3000+ | $0.0082 | $ 24.6000 |
| 9000+ | $0.0072 | $ 64.8000 |
| 51000+ | $0.0069 | $ 351.9000 |
| 99000+ | $0.0067 | $ 663.3000 |
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