| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HSCB10P02 |
| EBEE 부품 번호 | E828314515 |
| 패키지 | DFN-6L(2x2) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 20V 10A 20mΩ@4.5V,8A 3.5W 600mV@250uA 1 Piece P-Channel DFN-6L(2x2) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0500 | $ 0.5000 |
| 100+ | $0.0406 | $ 4.0600 |
| 300+ | $0.0359 | $ 10.7700 |
| 1000+ | $0.0323 | $ 32.3000 |
| 5000+ | $0.0296 | $ 148.0000 |
| 10000+ | $0.0281 | $ 281.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HUASHUO HSCB10P02 | |
| RoHS | ||
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 10A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V,8A | |
| 전력 손실(Pd) | 3.5W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0500 | $ 0.5000 |
| 100+ | $0.0406 | $ 4.0600 |
| 300+ | $0.0359 | $ 10.7700 |
| 1000+ | $0.0323 | $ 32.3000 |
| 5000+ | $0.0296 | $ 148.0000 |
| 10000+ | $0.0281 | $ 281.0000 |
