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HUASHUO HSBG2103


제조사
제조사 부품 번호
HSBG2103
EBEE 부품 번호
E8845598
패키지
DFN1006-3
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
20V 650mA 520mΩ@4.5V,650mA 150mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
10+$0.0465$ 0.4650
100+$0.0380$ 3.8000
300+$0.0336$ 10.0800
1000+$0.0304$ 30.4000
5000+$0.0245$ 122.5000
10000+$0.0231$ 231.0000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트HUASHUO HSBG2103
RoHS
유형1 Piece P-Channel
드레인 소스 전압(Vdss)20V
연속 드레인 전류(Id)650mA
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)520mΩ@4.5V,650mA
전력 손실(Pd)150mW
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)1V@250uA

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