| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HSBG2103 |
| EBEE 부품 번호 | E8845598 |
| 패키지 | DFN1006-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 20V 650mA 520mΩ@4.5V,650mA 150mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0465 | $ 0.4650 |
| 100+ | $0.0380 | $ 3.8000 |
| 300+ | $0.0336 | $ 10.0800 |
| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
| 5000+ | $0.0245 | $ 122.5000 |
| 10000+ | $0.0231 | $ 231.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HUASHUO HSBG2103 | |
| RoHS | ||
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 650mA | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 520mΩ@4.5V,650mA | |
| 전력 손실(Pd) | 150mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0465 | $ 0.4650 |
| 100+ | $0.0380 | $ 3.8000 |
| 300+ | $0.0336 | $ 10.0800 |
| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
| 5000+ | $0.0245 | $ 122.5000 |
| 10000+ | $0.0231 | $ 231.0000 |
