| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HSBG2024 |
| EBEE 부품 번호 | E8508789 |
| 패키지 | X1-DFN1006-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 20V 1.4A 230mΩ@4.5V,550mA 700mW 1V@250uA 1 N-Channel X1-DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0583 | $ 0.5830 |
| 100+ | $0.0474 | $ 4.7400 |
| 300+ | $0.0420 | $ 12.6000 |
| 1000+ | $0.0380 | $ 38.0000 |
| 5000+ | $0.0305 | $ 152.5000 |
| 10000+ | $0.0289 | $ 289.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HUASHUO HSBG2024 | |
| RoHS | ||
| 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 1.4A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 230mΩ@4.5V,550mA | |
| 전력 손실(Pd) | 700mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0583 | $ 0.5830 |
| 100+ | $0.0474 | $ 4.7400 |
| 300+ | $0.0420 | $ 12.6000 |
| 1000+ | $0.0380 | $ 38.0000 |
| 5000+ | $0.0305 | $ 152.5000 |
| 10000+ | $0.0289 | $ 289.0000 |
