| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HSBB6066 |
| EBEE 부품 번호 | E82828498 |
| 패키지 | DFN-8(3x3) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | 60V 60A 4.4mΩ@10A 45W 1.2V@250uA 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4204 | $ 0.4204 |
| 10+ | $0.3317 | $ 3.3170 |
| 30+ | $0.2945 | $ 8.8350 |
| 100+ | $0.2466 | $ 24.6600 |
| 500+ | $0.2200 | $ 110.0000 |
| 1000+ | $0.2076 | $ 207.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HUASHUO HSBB6066 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 60A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.4mΩ@10A | |
| 전력 손실(Pd) | 45W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 25pF@30V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1670pF@30V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | [email protected] |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4204 | $ 0.4204 |
| 10+ | $0.3317 | $ 3.3170 |
| 30+ | $0.2945 | $ 8.8350 |
| 100+ | $0.2466 | $ 24.6600 |
| 500+ | $0.2200 | $ 110.0000 |
| 1000+ | $0.2076 | $ 207.6000 |
