| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HSBA15810C |
| EBEE 부품 번호 | E8845605 |
| 패키지 | PQFN-8(5x6) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | 100V 100A 4.5mΩ@10V,30A 208W 4V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0321 | $ 1.0321 |
| 10+ | $0.8325 | $ 8.3250 |
| 30+ | $0.7335 | $ 22.0050 |
| 100+ | $0.6345 | $ 63.4500 |
| 500+ | $0.5744 | $ 287.2000 |
| 1000+ | $0.5444 | $ 544.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HUASHUO HSBA15810C | |
| RoHS | ||
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 100A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V,30A | |
| 전력 손실(Pd) | 208W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0321 | $ 1.0321 |
| 10+ | $0.8325 | $ 8.3250 |
| 30+ | $0.7335 | $ 22.0050 |
| 100+ | $0.6345 | $ 63.4500 |
| 500+ | $0.5744 | $ 287.2000 |
| 1000+ | $0.5444 | $ 544.4000 |
