| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HSBA100P04 |
| EBEE 부품 번호 | E82987717 |
| 패키지 | PRPAK(5x6) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| 설명 | 40V 100A 52.1W 4.6mΩ@10V,20A 1.8V@250uA 1 Piece P-Channel PRPAK(5x6) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5606 | $ 0.5606 |
| 10+ | $0.4560 | $ 4.5600 |
| 30+ | $0.4027 | $ 12.0810 |
| 100+ | $0.3495 | $ 34.9500 |
| 500+ | $0.3194 | $ 159.7000 |
| 1000+ | $0.3034 | $ 303.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HUASHUO HSBA100P04 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 100A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 52.1W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 722pF@20V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 7.09nF@20V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 115nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5606 | $ 0.5606 |
| 10+ | $0.4560 | $ 4.5600 |
| 30+ | $0.4027 | $ 12.0810 |
| 100+ | $0.3495 | $ 34.9500 |
| 500+ | $0.3194 | $ 159.7000 |
| 1000+ | $0.3034 | $ 303.4000 |
