| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HD7N50E(BHB) |
| EBEE 부품 번호 | E82688937 |
| 패키지 | TO-252-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 530V 7A 1.05Ω@10V,3.5A 45W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3757 | $ 0.3757 |
| 10+ | $0.2977 | $ 2.9770 |
| 30+ | $0.2651 | $ 7.9530 |
| 100+ | $0.2233 | $ 22.3300 |
| 500+ | $0.2052 | $ 102.6000 |
| 1000+ | $0.1942 | $ 194.2000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HL(Haolin Elec) HD7N50E(BHB) | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 530V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 7A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05Ω@10V,3.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 45W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 11.5pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 750pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 15.5nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3757 | $ 0.3757 |
| 10+ | $0.2977 | $ 2.9770 |
| 30+ | $0.2651 | $ 7.9530 |
| 100+ | $0.2233 | $ 22.3300 |
| 500+ | $0.2052 | $ 102.6000 |
| 1000+ | $0.1942 | $ 194.2000 |
