| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HD60N08(AGF) |
| EBEE 부품 번호 | E82689027 |
| 패키지 | TO-252-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 80V 60A 13mΩ@10V,40A 85W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2882 | $ 0.2882 |
| 10+ | $0.2338 | $ 2.3380 |
| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1812 | $ 18.1200 |
| 500+ | $0.1505 | $ 75.2500 |
| 1000+ | $0.1428 | $ 142.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HL(Haolin Elec) HD60N08(AGF) | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 60A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@10V,40A | |
| 전력 손실(Pd) | 85W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 80pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.498nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 36nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2882 | $ 0.2882 |
| 10+ | $0.2338 | $ 2.3380 |
| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1812 | $ 18.1200 |
| 500+ | $0.1505 | $ 75.2500 |
| 1000+ | $0.1428 | $ 142.8000 |
