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HL(Haolin Elec) HB3510P


제조사
제조사 부품 번호
HB3510P
EBEE 부품 번호
E8271448
패키지
TO-263
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
100V 50A 110W 38mΩ@10V,15A 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
5+$0.3503$ 1.7515
50+$0.2763$ 13.8150
150+$0.2476$ 37.1400
500+$0.2117$ 105.8500
2500+$0.1957$ 489.2500
5000+$0.1861$ 930.5000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트HL(Haolin Elec) HB3510P
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)100V
연속 드레인 전류(Id)50A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)38mΩ@10V,15A
전력 손실(Pd)110W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)4V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)275pF@25V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)1489pF
총 게이트 요금(Qg@Vgs)60nC@10V

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