| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HB3510P |
| EBEE 부품 번호 | E8271448 |
| 패키지 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 50A 110W 38mΩ@10V,15A 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HL(Haolin Elec) HB3510P | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 50A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@10V,15A | |
| 전력 손실(Pd) | 110W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 275pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1489pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 60nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
