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HL(Haolin Elec) HB100N08


제조사
제조사 부품 번호
HB100N08
EBEE 부품 번호
E82149758
패키지
TO-263
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
82V 100A 6.5mΩ@10V,40A 147W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.5718$ 0.5718
10+$0.4738$ 4.7380
50+$0.4102$ 20.5100
100+$0.3631$ 36.3100
500+$0.3322$ 166.1000
1000+$0.3176$ 317.6000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트HL(Haolin Elec) HB100N08
RoHS
작동 온도-55℃~+175℃@(Tj)
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)82V
연속 드레인 전류(Id)100A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)6.5mΩ@10V,40A
전력 손실(Pd)147W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)4V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)145pF@25V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)5.053nF@25V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)115nC@10V

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