| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HB100N08 |
| EBEE 부품 번호 | E82149758 |
| 패키지 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 82V 100A 6.5mΩ@10V,40A 147W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5718 | $ 0.5718 |
| 10+ | $0.4738 | $ 4.7380 |
| 50+ | $0.4102 | $ 20.5100 |
| 100+ | $0.3631 | $ 36.3100 |
| 500+ | $0.3322 | $ 166.1000 |
| 1000+ | $0.3176 | $ 317.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | HL(Haolin Elec) HB100N08 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 82V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 100A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V,40A | |
| 전력 손실(Pd) | 147W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 145pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 5.053nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 115nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5718 | $ 0.5718 |
| 10+ | $0.4738 | $ 4.7380 |
| 50+ | $0.4102 | $ 20.5100 |
| 100+ | $0.3631 | $ 36.3100 |
| 500+ | $0.3322 | $ 166.1000 |
| 1000+ | $0.3176 | $ 317.6000 |
