| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HD3400 |
| EBEE 부품 번호 | E8466665 |
| 패키지 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 30V 5.8A 52mΩ@2.5V,4A 350mW 1.4V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0267 | $ 0.2670 |
| 100+ | $0.0261 | $ 2.6100 |
| 300+ | $0.0256 | $ 7.6800 |
| 1000+ | $0.0253 | $ 25.3000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | High Diode HD3400 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 5.8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@2.5V,4A | |
| 전력 손실(Pd) | 350mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 77pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.05nF |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0267 | $ 0.2670 |
| 100+ | $0.0261 | $ 2.6100 |
| 300+ | $0.0256 | $ 7.6800 |
| 1000+ | $0.0253 | $ 25.3000 |
