| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HD2312 |
| EBEE 부품 번호 | E8571349 |
| 패키지 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 20V 5A 18mΩ@4.5V,5A 350mW 450mV@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0521 | $ 0.5210 |
| 100+ | $0.0417 | $ 4.1700 |
| 300+ | $0.0366 | $ 10.9800 |
| 3000+ | $0.0324 | $ 97.2000 |
| 6000+ | $0.0294 | $ 176.4000 |
| 9000+ | $0.0278 | $ 250.2000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | High Diode HD2312 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -50℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V,5A | |
| 전력 손실(Pd) | 350mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 450mV@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 55pF@10V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 865pF@10V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | - |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0521 | $ 0.5210 |
| 100+ | $0.0417 | $ 4.1700 |
| 300+ | $0.0366 | $ 10.9800 |
| 3000+ | $0.0324 | $ 97.2000 |
| 6000+ | $0.0294 | $ 176.4000 |
| 9000+ | $0.0278 | $ 250.2000 |
