| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HD2305 |
| EBEE 부품 번호 | E8466664 |
| 패키지 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 12V 4.1A 90mΩ@1.8V 350mW 500mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0449 | $ 0.4490 |
| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0329 | $ 9.8700 |
| 3000+ | $0.0270 | $ 81.0000 |
| 6000+ | $0.0246 | $ 147.6000 |
| 9000+ | $0.0233 | $ 209.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | High Diode HD2305 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -50℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 4.1A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@1.8V | |
| 전력 손실(Pd) | 350mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 740pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 9nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0449 | $ 0.4490 |
| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0329 | $ 9.8700 |
| 3000+ | $0.0270 | $ 81.0000 |
| 6000+ | $0.0246 | $ 147.6000 |
| 9000+ | $0.0233 | $ 209.7000 |
