Recommonended For You
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가
Hangzhou Silan Microelectronics SVF6N60D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SVF6N60D |
| EBEE 부품 번호 | E868778 |
| 패키지 | TO-252-2(DPAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 600V 6A 1.35Ω@10V,3A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>246 재고 있음 바로 배송 가능
246 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4240 | $ 0.4240 |
| 10+ | $0.3289 | $ 3.2890 |
| 30+ | $0.2882 | $ 8.6460 |
| 100+ | $0.2369 | $ 23.6900 |
| 500+ | $0.2143 | $ 107.1500 |
| 1000+ | $0.2007 | $ 200.7000 |
더 많은 수량에 대한 최적 가격?
$
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Hangzhou Silan Microelectronics SVF6N60D | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 1.35Ω@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 2.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 690.7pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 83.6pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.32nC@10V |
쇼핑 가이드
펼치기
246 Stock for Shipping Fast
246 available for immediate shipping1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4240 | $ 0.4240 |
| 10+ | $0.3289 | $ 3.2890 |
| 30+ | $0.2882 | $ 8.6460 |
| 100+ | $0.2369 | $ 23.6900 |
| 500+ | $0.2143 | $ 107.1500 |
| 1000+ | $0.2007 | $ 200.7000 |
더 많은 수량에 대한 최적 가격?
$
