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Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SVF12N65F |
| EBEE 부품 번호 | E818781 |
| 패키지 | TO-220F |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 12A 51W 680mΩ@10V,6A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5302 | $ 0.5302 |
| 10+ | $0.4257 | $ 4.2570 |
| 50+ | $0.3450 | $ 17.2500 |
| 100+ | $0.2896 | $ 28.9600 |
| 500+ | $0.2643 | $ 132.1500 |
| 1000+ | $0.2501 | $ 250.1000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 640mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 51W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 156pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5302 | $ 0.5302 |
| 10+ | $0.4257 | $ 4.2570 |
| 50+ | $0.3450 | $ 17.2500 |
| 100+ | $0.2896 | $ 28.9600 |
| 500+ | $0.2643 | $ 132.1500 |
| 1000+ | $0.2501 | $ 250.1000 |
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