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Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SGM40HF12A1TFD |
| EBEE 부품 번호 | E82761782 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 40A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.8791 | $ 11.8791 |
| 10+ | $10.7892 | $ 107.8920 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,IGBT 트랜지스터/모듈 | |
| 데이터시트 | Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vces) | 1.2kV | |
| 게이트 이미터 임계값 전압(Vge(th)@Ic) | 5.5V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Gate Charge(Qg) | 413nC@40A,±15V | |
| Td(off) | 611ns | |
| Td(on) | 425ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 117ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 2.2mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 9.3mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 6.58nF@25V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.8791 | $ 11.8791 |
| 10+ | $10.7892 | $ 107.8920 |
