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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | 4N65F |
| EBEE 부품 번호 | E85248039 |
| 패키지 | ITO-220AB |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 650V 4A 36W 2Ω@10V,2A 2V@250uA 1 N-channel ITO-220AB MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1824 | $ 0.9120 |
| 50+ | $0.1397 | $ 6.9850 |
| 150+ | $0.1233 | $ 18.4950 |
| 500+ | $0.1029 | $ 51.4500 |
| 2000+ | $0.0938 | $ 187.6000 |
| 5000+ | $0.0883 | $ 441.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | GOODWORK 4N65F | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 2Ω@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 11pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 670pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1824 | $ 0.9120 |
| 50+ | $0.1397 | $ 6.9850 |
| 150+ | $0.1233 | $ 18.4950 |
| 500+ | $0.1029 | $ 51.4500 |
| 2000+ | $0.0938 | $ 187.6000 |
| 5000+ | $0.0883 | $ 441.5000 |
