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GOODWORK 4N65F


제조사
제조사 부품 번호
4N65F
EBEE 부품 번호
E85248039
패키지
ITO-220AB
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
650V 4A 36W 2Ω@10V,2A 2V@250uA 1 N-channel ITO-220AB MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
5+$0.1824$ 0.9120
50+$0.1397$ 6.9850
150+$0.1233$ 18.4950
500+$0.1029$ 51.4500
2000+$0.0938$ 187.6000
5000+$0.0883$ 441.5000
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유형설명
전체 선택
카테고리Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
데이터시트GOODWORK 4N65F
RoHS
RDS(켜짐)2Ω@10V
작동 온도 --55℃~+150℃
역전송 용량(Crss@Vds)11pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation36W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)4A
Ciss-Input Capacitance670pF
Gate Charge(Qg)15nC@10V

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