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GOODWORK 4N65
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | 4N65 |
| EBEE 부품 번호 | E82962211 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 650V 4A 2.4Ω@10V,2A 33W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0927 | $ 0.4635 |
| 50+ | $0.0807 | $ 4.0350 |
| 150+ | $0.0756 | $ 11.3400 |
| 500+ | $0.0692 | $ 34.6000 |
| 2500+ | $0.0622 | $ 155.5000 |
| 5000+ | $0.0605 | $ 302.5000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | GOODWORK 4N65 | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 2.4Ω@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 11pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 670pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0927 | $ 0.4635 |
| 50+ | $0.0807 | $ 4.0350 |
| 150+ | $0.0756 | $ 11.3400 |
| 500+ | $0.0692 | $ 34.6000 |
| 2500+ | $0.0622 | $ 155.5000 |
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