| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | GL540A8P |
| EBEE 부품 번호 | E82886421 |
| 패키지 | TO-220AB-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 33A 150W 30mΩ@10V,17A 2V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5820 | $ 0.5820 |
| 10+ | $0.4827 | $ 4.8270 |
| 50+ | $0.3957 | $ 19.7850 |
| 100+ | $0.3460 | $ 34.6000 |
| 500+ | $0.3159 | $ 157.9500 |
| 1000+ | $0.3018 | $ 301.8000 |
| 2000+ | $0.2982 | $ 596.4000 |
| 4000+ | $0.2946 | $ 1178.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | GL GL540A8P | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 33A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,17A | |
| 전력 손실(Pd) | 150W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 10pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.7nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 37nC |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5820 | $ 0.5820 |
| 10+ | $0.4827 | $ 4.8270 |
| 50+ | $0.3957 | $ 19.7850 |
| 100+ | $0.3460 | $ 34.6000 |
| 500+ | $0.3159 | $ 157.9500 |
| 1000+ | $0.3018 | $ 301.8000 |
| 2000+ | $0.2982 | $ 596.4000 |
| 4000+ | $0.2946 | $ 1178.4000 |
