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EVVO EV-IRFR3410-T1


제조사
제조사 부품 번호
EV-IRFR3410-T1
EBEE 부품 번호
E841433130
패키지
TO-252
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
100V 30A 42W 48mΩ@10V,10A 2.2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
5+$0.2835$ 1.4175
50+$0.2301$ 11.5050
150+$0.2072$ 31.0800
500+$0.1786$ 89.3000
2500+$0.1658$ 414.5000
5000+$0.1582$ 791.0000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트EVVO EV-IRFR3410-T1
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)100V
연속 드레인 전류(Id)30A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)48mΩ@10V,10A
전력 손실(Pd)42W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)74pF
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)1964pF@25V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)20nC@80V

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