Recommonended For You
- 집 /
- 제품 /
- 트랜지스터/사이리스터 /
- MOSFET /
- EVVO EV-IRFR120N-T1
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가
EVVO EV-IRFR120N-T1
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | EV-IRFR120N-T1 |
| EBEE 부품 번호 | E841433131 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 9.4A 210mΩ@10V,5.6A 1.5W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1764 | $ 0.8820 |
| 50+ | $0.1432 | $ 7.1600 |
| 150+ | $0.1289 | $ 19.3350 |
| 500+ | $0.1112 | $ 55.6000 |
| 2500+ | $0.1033 | $ 258.2500 |
| 5000+ | $0.0984 | $ 492.0000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | EVVO EV-IRFR120N-T1 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 9.4A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 210mΩ@10V,5.6A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.5W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 54pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 330pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 25nC |
쇼핑 가이드
펼치기
재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1764 | $ 0.8820 |
| 50+ | $0.1432 | $ 7.1600 |
| 150+ | $0.1289 | $ 19.3350 |
| 500+ | $0.1112 | $ 55.6000 |
| 2500+ | $0.1033 | $ 258.2500 |
| 5000+ | $0.0984 | $ 492.0000 |
