| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | EV-IRFR1205-T1 |
| EBEE 부품 번호 | E841433132 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 55V 44A 27mΩ@10V,26A 107W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2521 | $ 1.2605 |
| 50+ | $0.2046 | $ 10.2300 |
| 150+ | $0.1842 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.1588 | $ 79.4000 |
| 2500+ | $0.1474 | $ 368.5000 |
| 5000+ | $0.1406 | $ 703.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | EVVO EV-IRFR1205-T1 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 44A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@10V,26A | |
| 전력 손실(Pd) | 107W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 150pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.3nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 65nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2521 | $ 1.2605 |
| 50+ | $0.2046 | $ 10.2300 |
| 150+ | $0.1842 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.1588 | $ 79.4000 |
| 2500+ | $0.1474 | $ 368.5000 |
| 5000+ | $0.1406 | $ 703.0000 |
