| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | EV-IRFR024N-T1 |
| EBEE 부품 번호 | E841433133 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 55V 17A 75mΩ@10V,10A 45W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1536 | $ 0.7680 |
| 50+ | $0.1255 | $ 6.2750 |
| 150+ | $0.1113 | $ 16.6950 |
| 500+ | $0.1006 | $ 50.3000 |
| 2500+ | $0.0922 | $ 230.5000 |
| 5000+ | $0.0880 | $ 440.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | EVVO EV-IRFR024N-T1 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 17A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@10V,10A | |
| 전력 손실(Pd) | 45W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 65pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 370pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 20nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1536 | $ 0.7680 |
| 50+ | $0.1255 | $ 6.2750 |
| 150+ | $0.1113 | $ 16.6950 |
| 500+ | $0.1006 | $ 50.3000 |
| 2500+ | $0.0922 | $ 230.5000 |
| 5000+ | $0.0880 | $ 440.0000 |
