| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | EV-IRFB4110-T3 |
| EBEE 부품 번호 | E841433137 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 120A 370W 3.7mΩ@10V,75A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7185 | $ 0.7185 |
| 10+ | $0.5955 | $ 5.9550 |
| 50+ | $0.5339 | $ 26.6950 |
| 100+ | $0.4743 | $ 47.4300 |
| 500+ | $0.4380 | $ 219.0000 |
| 1000+ | $0.4181 | $ 418.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | EVVO EV-IRFB4110-T3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 120A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.7mΩ@10V,75A | |
| 전력 손실(Pd) | 370W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 250pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 9620pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 210nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7185 | $ 0.7185 |
| 10+ | $0.5955 | $ 5.9550 |
| 50+ | $0.5339 | $ 26.6950 |
| 100+ | $0.4743 | $ 47.4300 |
| 500+ | $0.4380 | $ 219.0000 |
| 1000+ | $0.4181 | $ 418.1000 |
