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EVVO EV-IRFB4110-T3


제조사
제조사 부품 번호
EV-IRFB4110-T3
EBEE 부품 번호
E841433137
패키지
TO-220
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
100V 120A 370W 3.7mΩ@10V,75A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.7185$ 0.7185
10+$0.5955$ 5.9550
50+$0.5339$ 26.6950
100+$0.4743$ 47.4300
500+$0.4380$ 219.0000
1000+$0.4181$ 418.1000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트EVVO EV-IRFB4110-T3
RoHS
작동 온도-55℃~+175℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)100V
연속 드레인 전류(Id)120A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)3.7mΩ@10V,75A
전력 손실(Pd)370W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)4V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)250pF
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)9620pF
총 게이트 요금(Qg@Vgs)210nC

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