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EVVO EV-IRF530N-T3


제조사
제조사 부품 번호
EV-IRF530N-T3
EBEE 부품 번호
E841433139
패키지
TO-220
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
100V 18A 59W 112mΩ@10V,10A 1V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
5+$0.3465$ 1.7325
50+$0.2812$ 14.0600
150+$0.2532$ 37.9800
500+$0.2183$ 109.1500
2500+$0.2027$ 506.7500
5000+$0.1934$ 967.0000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트EVVO EV-IRF530N-T3
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)100V
연속 드레인 전류(Id)18A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)112mΩ@10V,10A
전력 손실(Pd)59W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)1V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)37pF@15V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)1.535nF@15V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)26.2nC@10V

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