| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | EMB09P03V |
| EBEE 부품 번호 | E8461958 |
| 패키지 | PowerTDFN-8(3.1x3.1) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 30V 24A 9.5mΩ@10V,13A 2.5W 1V@250uA 1 Piece P-Channel PowerTDFN-8(3.1x3.1) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2729 | $ 0.2729 |
| 10+ | $0.2192 | $ 2.1920 |
| 30+ | $0.1962 | $ 5.8860 |
| 100+ | $0.1674 | $ 16.7400 |
| 500+ | $0.1547 | $ 77.3500 |
| 1000+ | $0.1471 | $ 147.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | EMC EMB09P03V | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 24A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,13A | |
| 전력 손실(Pd) | 2.5W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 398pF@15V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3.067nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 52nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2729 | $ 0.2729 |
| 10+ | $0.2192 | $ 2.1920 |
| 30+ | $0.1962 | $ 5.8860 |
| 100+ | $0.1674 | $ 16.7400 |
| 500+ | $0.1547 | $ 77.3500 |
| 1000+ | $0.1471 | $ 147.1000 |
