| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOP20N06 |
| EBEE 부품 번호 | E841384533 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 20A 35mΩ@10V,20A 52.1W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1986 | $ 0.9930 |
| 50+ | $0.1608 | $ 8.0400 |
| 150+ | $0.1445 | $ 21.6750 |
| 500+ | $0.1243 | $ 62.1500 |
| 2500+ | $0.1153 | $ 288.2500 |
| 5000+ | $0.1099 | $ 549.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOP20N06 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 35mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 46pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 52.1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.027nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1986 | $ 0.9930 |
| 50+ | $0.1608 | $ 8.0400 |
| 150+ | $0.1445 | $ 21.6750 |
| 500+ | $0.1243 | $ 62.1500 |
| 2500+ | $0.1153 | $ 288.2500 |
| 5000+ | $0.1099 | $ 549.5000 |
