| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD9N20 |
| EBEE 부품 번호 | E842395890 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1179 | $ 0.5895 |
| 50+ | $0.1029 | $ 5.1450 |
| 150+ | $0.0965 | $ 14.4750 |
| 500+ | $0.0886 | $ 44.3000 |
| 2500+ | $0.0850 | $ 212.5000 |
| 5000+ | $0.0829 | $ 414.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD9N20 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 300mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 24pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 82W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1179 | $ 0.5895 |
| 50+ | $0.1029 | $ 5.1450 |
| 150+ | $0.0965 | $ 14.4750 |
| 500+ | $0.0886 | $ 44.3000 |
| 2500+ | $0.0850 | $ 212.5000 |
| 5000+ | $0.0829 | $ 414.5000 |
