| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD75P06 |
| EBEE 부품 번호 | E842412120 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3033 | $ 0.3033 |
| 10+ | $0.2382 | $ 2.3820 |
| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1754 | $ 17.5400 |
| 500+ | $0.1599 | $ 79.9500 |
| 1000+ | $0.1506 | $ 150.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD75P06 | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 12mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 209pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 107W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.699nF | |
| Gate Charge(Qg) | 139nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3033 | $ 0.3033 |
| 10+ | $0.2382 | $ 2.3820 |
| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1754 | $ 17.5400 |
| 500+ | $0.1599 | $ 79.9500 |
| 1000+ | $0.1506 | $ 150.6000 |
