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DOINGTER DOD639B
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD639B |
| EBEE 부품 번호 | E842412129 |
| 패키지 | TO-252-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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2435 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2581 | $ 1.2905 |
| 50+ | $0.2026 | $ 10.1300 |
| 150+ | $0.1789 | $ 26.8350 |
| 500+ | $0.1493 | $ 74.6500 |
| 2500+ | $0.1361 | $ 340.2500 |
| 5000+ | $0.1282 | $ 641.0000 |
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추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD639B | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel + P-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 4.2mΩ@10V;10.2mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 148pF;225pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 40V;40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V;2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A;38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF;3.119nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF;237pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];41nC@10V |
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2435 Stock for Shipping Fast
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2581 | $ 1.2905 |
| 50+ | $0.2026 | $ 10.1300 |
| 150+ | $0.1789 | $ 26.8350 |
| 500+ | $0.1493 | $ 74.6500 |
| 2500+ | $0.1361 | $ 340.2500 |
| 5000+ | $0.1282 | $ 641.0000 |
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