| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD619B |
| EBEE 부품 번호 | E842412128 |
| 패키지 | TO-252-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1300 | $ 0.6500 |
| 50+ | $0.1028 | $ 5.1400 |
| 150+ | $0.0892 | $ 13.3800 |
| 500+ | $0.0790 | $ 39.5000 |
| 2500+ | $0.0708 | $ 177.0000 |
| 5000+ | $0.0667 | $ 333.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD619B | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel + P-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 14mΩ@10V;20mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 67.5pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V;2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 979pF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@8V;[email protected] |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1300 | $ 0.6500 |
| 50+ | $0.1028 | $ 5.1400 |
| 150+ | $0.0892 | $ 13.3800 |
| 500+ | $0.0790 | $ 39.5000 |
| 2500+ | $0.0708 | $ 177.0000 |
| 5000+ | $0.0667 | $ 333.5000 |
