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DOINGTER DOD60N03
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD60N03 |
| EBEE 부품 번호 | E841416021 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 30V 60A 33W 8.5mΩ@10V,25A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0784 | $ 0.3920 |
| 50+ | $0.0624 | $ 3.1200 |
| 150+ | $0.0545 | $ 8.1750 |
| 500+ | $0.0485 | $ 24.2500 |
| 2500+ | $0.0437 | $ 109.2500 |
| 5000+ | $0.0413 | $ 206.5000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD60N03 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 14mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 145pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0784 | $ 0.3920 |
| 50+ | $0.0624 | $ 3.1200 |
| 150+ | $0.0545 | $ 8.1750 |
| 500+ | $0.0485 | $ 24.2500 |
| 2500+ | $0.0437 | $ 109.2500 |
| 5000+ | $0.0413 | $ 206.5000 |
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